功率电子封装互联技术综述：从铝键合线到纳米烧结的演进之路 1 引言 功率半导体器件是现代电能变换系统的核心，广泛应用于电动汽车、新能源发电、轨道交通、工业变频和航空航天等领域。随着第三代宽禁带（Wide Bandgap, WBG）半导体材料——碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）——的快速发展，功率器件的性能边界被不断拓展：更高的结温（200–300 °C）、更快的开关频率（>100 kHz）和更大的功率密度对封装技术提出了前所未有的挑战[1][2]。 功率模块封装需同时满足四大核心功能：芯片固定与保护、电气互联、热管理和环境隔离[3]。其中，封装互联技术直接决定了模块的寄生电感、散热效率和使用寿命，是整个封装体系中最关键的环节之一。传统硅基 IGBT 模块广泛采用的铝键合线与锡基焊料互联方案，在面对 SiC/GaN 器件时已显露出明显不足——键合线失效与焊层疲劳占据了模块失效原因的绝大部分[4][5]